Study of Zn(Sn,Ge)N2 for optoelectronic applications - Université Polytechnique des Hauts-de-France Accéder directement au contenu
Poster Année : 2017
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Dates et versions

hal-03553042 , version 1 (02-02-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03553042 , version 1

Citer

N. Fèvre, Nathaniel Feldberg, Patrice Miska, El Hadj Dogheche, C. Licitra, et al.. Study of Zn(Sn,Ge)N2 for optoelectronic applications. 12th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-12, Jul 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-03553042⟩
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